Количество ядер 4, Тактовая частота 2.3 ГГц, Сокет LGA1150, Расчетная тепловая мощность (TDP) 35 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 14 нм, Встроенная графика Intel iris Pro Graphics P6300, Кэш L3 6 МБ, Кодовое название кристалла Broadwell
Арт. 57426
Под заказ
1 184,00р
В корзину
Количество ядер 2, Тактовая частота 3.066 ГГц, Сокет LGA775, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Толщина транзистора 45 нм, Кэш L2 3 МБ, Дата выхода на рынок 2009 г.
49 отзывов
Количество ядер 12, Тактовая частота 2.5 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 120 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L3 30 МБ, Кодовое название кристалла Haswell
2 отзыва
Количество ядер 4, Тактовая частота 2 ГГц, Сокет LGA771, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Толщина транзистора 45 нм, Кэш L3 0 КБ, Кэш L2 12 МБ, Кодовое название кристалла Harpertown, Дата выхода на рынок 2007 г.
49 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.5 ГГц, Сокет LGA771, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Толщина транзистора 45 нм, Кэш L3 0 КБ, Кэш L2 12 МБ, Кодовое название кристалла Harpertown, Дата выхода на рынок 2007 г.
49 отзывов
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.33 ГГц, Сокет LGA1366, Расчетная тепловая мощность (TDP) 130 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 12 МБ, Кэш L2 1.5 МБ, Кодовое название кристалла Westmere-EP, Дата выхода на рынок 2010 г.
14 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.33 ГГц, Сокет LGA771, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Толщина транзистора 65 нм, Кэш L2 8 МБ, Кодовое название кристалла Clovertown
Арт. 69815
Под заказ
124,00р
В корзину
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.7 ГГц, Сокет LGA1151, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 8 МБ, Макс. частота памяти 2 133 МГц, Кодовое название кристалла Skylake, Дата выхода на рынок 2016 г.
3 отзыва
Количество ядер 10, Тактовая частота 2.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 85 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 25 МБ, Макс. частота памяти 2 133 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Количество ядер 8, Тактовая частота 2.1 ГГц, Сокет LGA2011-3, Боксовая версия, Расчетная тепловая мощность (TDP) 85 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 20 МБ, Макс. частота памяти 2 133 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Количество ядер 14, Тактовая частота 2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 105 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 35 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 140 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 10 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Количество ядер 14, Тактовая частота 2.4 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 120 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 35 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Количество ядер 10, Тактовая частота 2.4 ГГц, Сокет LGA2011-3, LGA2011-3 Square ILM, LGA2011-3 Narrow ILM, Расчетная тепловая мощность (TDP) 90 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 25 МБ, Макс. частота памяти 2 133 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell
5 отзывов
Количество ядер 8, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 135 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 25 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell
5 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.7 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 140 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 10 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Количество ядер 14, Тактовая частота 2.6 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 135 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 35 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.4 ГГц, Сокет LGA1151, Боксовая версия, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR3L, DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Встроенная графика Intel HD Graphics 630, Кэш L3 6 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Kaby Lake, Дата выхода на рынок 2017 г.
34 отзыва
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.6 ГГц, Сокет LGA1151, Боксовая версия, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR3L, DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Встроенная графика Intel HD Graphics 630, Кэш L3 8 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Kaby Lake, Дата выхода на рынок 2017 г.
48 отзывов
Количество ядер 2, Тактовая частота 2.9 ГГц, Сокет LGA1151, Расчетная тепловая мощность (TDP) 51 Вт, Поддержка памяти DDR3L, DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Встроенная графика Intel HD Graphics 610, Кэш L3 2 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Kaby Lake, Дата выхода на рынок 2017 г.
6 отзывов
Количество ядер 2, Тактовая частота 4 ГГц, Сокет LGA1151, Расчетная тепловая мощность (TDP) 51 Вт, Поддержка памяти DDR3L, DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Встроенная графика Intel HD Graphics 630, Кэш L3 4 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Kaby Lake, Дата выхода на рынок 2017 г.
10 отзывов
Количество ядер 8, Тактовая частота 3 ГГц, Сокет AM4, Боксовая версия, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 16 МБ, Кэш L2 4 МБ, Макс. частота памяти 2 666 МГц, Кодовое название кристалла Summit Ridge, Дата выхода на рынок 2017 г.
48 отзывов
Количество ядер 8, Тактовая частота 3 ГГц, Сокет AM4, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 16 МБ, Кэш L2 4 МБ, Макс. частота памяти 2 666 МГц, Кодовое название кристалла Summit Ridge, Дата выхода на рынок 2017 г.
48 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет AM4, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 2 МБ, Макс. частота памяти 2 666 МГц, Кодовое название кристалла Summit Ridge, Дата выхода на рынок 2017 г.
48 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет AM4, Боксовая версия, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 2 МБ, Макс. частота памяти 2 666 МГц, Кодовое название кристалла Summit Ridge, Дата выхода на рынок 2017 г.
48 отзывов
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.6 ГГц, Сокет AM4, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 16 МБ, Кэш L2 3 МБ, Макс. частота памяти 2 666 МГц, Кодовое название кристалла Summit Ridge, Дата выхода на рынок 2017 г.
48 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.1 ГГц, Сокет AM4, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 2 МБ, Макс. частота памяти 2 667 МГц, Кодовое название кристалла Summit Ridge, Дата выхода на рынок 2017 г.
12 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.1 ГГц, Сокет AM4, Боксовая версия, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 2 МБ, Макс. частота памяти 2 667 МГц, Кодовое название кристалла Summit Ridge, Дата выхода на рынок 2017 г.
12 отзывов
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет LGA1151 v2, Расчетная тепловая мощность (TDP) 65 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Встроенная графика Intel UHD Graphics 630, Кэш L3 12 МБ, Макс. частота памяти 2 666 МГц, Кодовое название кристалла Coffee Lake, Дата выхода на рынок 2017 г.
45 отзывов
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.7 ГГц, Сокет LGA1151 v2, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Встроенная графика Intel UHD Graphics 630, Кэш L3 12 МБ, Макс. частота памяти 2 666 МГц, Кодовое название кристалла Coffee Lake, Дата выхода на рынок 2017 г.
45 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.8 ГГц, Сокет AM3+, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 4 МБ, Кэш L2 4 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2012 г.
49 отзывов
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет AM3+, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 6 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2012 г.
49 отзывов
Количество ядер 8, Тактовая частота 4 ГГц, Сокет AM3+, Расчетная тепловая мощность (TDP) 125 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 8 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2012 г.
49 отзывов
Количество ядер 8, Тактовая частота 3.3 ГГц, Сокет AM3+, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 8 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2012 г.
49 отзывов
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет LGA1150, Расчетная тепловая мощность (TDP) 84 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 22 нм, Встроенная графика Intel HD Graphics 4600 1100 МГц, Кэш L3 6 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Haswell, Дата выхода на рынок 2014 г.
48 отзывов
Количество ядер 8, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет AM3+, Расчетная тепловая мощность (TDP) 125 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 8 МБ, Кэш L2 8 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2012 г.
49 отзывов